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onsemi FGA20N120FTDTU
| Artikelnummer: | FGA20N120FTDTU |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 40A 298W TO3PN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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-
onsemi FGA20N120FTDTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FGA20N120FTDTU.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Testbedingung - Td (ein / aus) bei 25 ° C - Schaltenergie - Supplier Device-Gehäuse TO-3P Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 447 ns Leistung - max 298 W Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 137 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 60 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 40 A Grundproduktnummer FGA20N120 FGA20N120FTDTU Einzelheiten PDF [English] FGA20N120FTDTU PDF - EN.pdf -
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